产地：德国WEP；
型号：CVP21;
电化学电容-电压测试，也称为电化学C-V、ECV、掺杂浓度检测(C-V Profiling)、PN结深测试等。电化学C-V主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业的检测，是半导体、化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。
电化学ECV剖面浓度分析仪(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。
WEP CVP21模块化的系统设计结构使得本系统可以高效、准确的测量半导体材料结构层中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。
应用领域：
CVP21应用范围宽，可有效检测外延材料、材料的离子注入、材料的扩散工艺，可用于绝大多数的半导体材料。
- IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…；
- III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…
- 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
技术规格特点：
- 载流子浓度测量范围：1011/cm3 ~ 1021/cm3；
- 深度分辨率：1nm ~ 100um；
- 样品尺寸：碎片(2x4mm) ~ 8”晶圆片；
- 模块化结构，光学、电子和化学部分相对独立，系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)；
- 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电压电容均无须用户再次校准)；
- 实时监控腐蚀过程；
- 电化学样品池自动装载/排出/再装载，样品干燥进出(dry-in/dry-out)；
- 全自动测试；
- 提供免费样品测试并提供测试报告；
参考用户：
上海交通大学、陕西科大、南通大学、西安205所、中电南京55所、中科院上海微系统所、中科院上海技术物理研究所、协鑫集成、晶澳太阳能、英利能源、东方环晟，华为海思(多台)等.
