低压化学气相沉积系统(LPCVD)

产地：韩国

LPCVD低压化学气相沉积法是用加热的方式，在低压条件下，使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD 用于淀积Poly-Si、Si3N4、SiO2磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜，广泛应用于半导体集成电路、电力、电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

技术规格特点：

  .适用硅片尺寸：4inch ~ 6inch；

   .工作温度范围：350~1000℃；

  . 恒温长度及精度：760mm±1℃；

  . 温度梯度：0~30℃可调；

  . 系统极限真空度：0.8 Pa；

  . 工作压力范围：30Pa~133Pa可调；

  . 淀积膜种类： Poiy-Si，SiO2，Si3N4 ；

  . 淀积膜均匀性：＜±3%；